دانلود پایان نامه ارشد برق سلول خورشیدی

دانلود پایان نامه

عنوان کامل پایان نامه : شبیه­ سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو نوار گرافن با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی(NEGF)

1-1-1-1-          اثر میدان آمبایپلار ( آلایش الکتروستاتیک )

اگر از طریق یک گیت به گرافن ولتاژی القا کنیم، رسانایی گرافن به صورت خطی با افزایش اندازه­ی VG افزایش می­یابد و اثر هال علامت آن را در VG~0 تغییر می­دهد. در نتیجه­ی این رفتار می­توان گفت تراکم الکترون­(حفره)ها توسط ولتاژهای مثبت(منفی) گیت القا شده­اند[[i]]. به این پدیده اثر میدان آمبایپلار یا آلایش الکتروستاتیک هم گفته می­شود.

در توضیح این پدیده می­توان گفت در ولتاژ مثبت گیت، تراز فرمی بالاتر از نقطه­ی دیراک قرار گرفته موجب انتقال الکترون­ها به نوار هدایت می­شود. و در ولتاژهای منفی گیت، تراز فرمی پایین تر از نقطه­ی دیراک آمده و موجب انتقال حفره­ها به نوار ظرفیت می­گردد، شکل ‏2‑4،[77].

دور از ناحیه­ی گذر، VG~0، ضریب هال،RH، متناسب با عکس VG تغییر می­کند. در نتیجه­ی این وابستگی خطی و نیز رابطه­ی معکوس ضریب هال و چگالی حامل­ها، می­توان به معادله­ی (‏2‑8) دست یافت.

شکل ‏2‑4- اثر میدان آمبایپلار در گرافن[[ii]]

 

با استفاده از این ویژگی می­توان بدون نیاز به استفاده از آلایش شیمیایی[1] و تنها با اعمال ولتاژ گیت مناسب به گرافن، تراکم حامل­ها را در آن تغییر داده و حتی با تغییر پلاریته، نوع نیمه­هادی را عوض نمود. یک نمونه­ی استفاده از این ویژگی در شکل ‏2‑5 آمده است.

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد: شبیه ­سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو نوار گرافن با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی(NEGF) 

بستن منو