پایان نامه رشته برق با موضوع بررسی جریان نشتی در سلول حافظه

سایت پایان نامه های برق

عنوان کامل پایان نامه : کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

تکه هایی از این پایان نامه :

شبیه سازی سلول 6 ترانزیستوری پایه

 

این سلول از 6 ترانزیستور تشکیل شده که 4 تا از آنها از نوع NMOS و 2 تای آنها از نوع PMOS می باشند که در ادامه جدول پارامترهای شبیه سازی این مدار آورده شده است.

در این شبیه سازی از تکنولوژی 180 نانومتر برای شبیه سازی استفاده شده است که گویای مدل کتابخانه­ای استفاده شده برای ترانزیستورها و در ادامه به شبیه سازی مدار برای ترانزیستورها در حالت­های مختلف خواهیم پرداخت که شامل ابعاد یکسان برای ترانزیستور ها و ابعاد متفاوت برای ترانزیستورها می باشد که در حالتی که ابعاد متفاوت می باشند نسبت طول به عرض کانال  که با پارامتر W/L معرفی شد برای ترانزیستورهای NMOS دو برابر ترانزیستورهای NMOS در نظر گرفته شده است. ابتدا به بررسی حالتی می­پردازیم که ابعاد مساوی در نظر گرفته شده است.

همانطور که درجداول بالا مشاهده می گردد یک پالس مربعی که برای شبیه سازی فرایند های خواندن و نوشتن و نگداری داده در سلول به سلول مورد نظر اعمال شده که در این جداول مشخصات این پالس ها آمده است در این مشخصات مواردی از قبیل دامنه پالس که گویای ولتاژ اعمال شده به عنوان مقدار یک منطقی به گره Bite-line می باشد که وظیفه این گره انتقال ورودی به ترانزیستورهای دستیابی و در نهایت به سلول می باشد هنگامی که ورودی این گره در حالت حداکثر قرار دارد یک به سلول انتقال داده می شود و در نتیجه آن یک منطقی در سلول ذخیره می گردد علاوه بر پالس مورد نظر یک پالس دیگر با عرض پالسی معادل نصف عرض پالسی که به گره Bite-line اعمال گردیده دلیل این امر آن است که می خواهیم در طی فرایندی که داده 1 روی خط Bite-line قرار دارد در طی این فرایند با یک اعمال داده یک به خط Word-line و یک بار اعمال صفر به این خط فرایند خواندن و نوشتن داده در سلول انجام گیرد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 thesis-power-word

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد: کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

Close Menu