پایان نامه رشته برق شبیه سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو نوار گرافن

دانلود پایان نامه

عنوان کامل پایان نامه : شبیه­ سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو نوار گرافن با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی(NEGF)

1-1-        نانو نوارهای گرافن[1]

همان طور که پیش از این گفته شد، گرافن ذاتی دارای گاف انرژی صفر است. به همین دلیل برای استفاده از آن در کاربردهای الکترونیکی و اپتوالکترونیکی می­بایست در آن ایجاد گاف انرژی نمود. همچنین گفته شد که یکی از راه­های انجام این کار، استفاده از  محدودیت کوانتومی است. مرسوم­ترین راه برای داشتن محدودیت کوامتومی، محدود کردن عرض گرافن است که اگر این عرض در مقیاس نانو باشد به آن نانو نوار گرافن گفته می­شود.

از نظر ظاهری، GNRها،مشابه CNTها، به دو دسته­ی شاخص آرمچر و زیگزاگ تقسیم می­شوند،شکل ‏2‑6. این دسته­بندی اگر چه بر اساس ظاهر نوار و شکل مرزهای آن انجام شده است، بیانگر بسیاری از ویژگی­های آن­ها نیز خواهد بود.

نانونوارهای زیگزاگ همگی دارای گاف انرژی صفر بوده و نیمه­فلز محسوب می­شوند. به همین دلیل بیشتر در کاربردهای مغناطیسی و اسپینترونیک[2] مورد توجه­اند[[i]]. در حالی که آرمچرها همگی نیمه­هادی بوده و گاف انرژی­شان با عکس عرض نوار متناسب است[89]، شکل ‏2‑7.  به همین دلیل نانونوارهای آرمچر در کاربردهای اپتوالکترونیک بسیار مورد توجه­اند.

 

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد: شبیه ­سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو نوار گرافن با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی(NEGF) 

بستن منو