پایان نامه شبیه سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو نوار گرافن با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی

سایت پایان نامه های برق

عنوان کامل پایان نامه : شبیه­ سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو نوار گرافن با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی(NEGF)

1-1-1-1-          ویژگی­های الکتریکی و نوری نانوسیم

نسبت ابعاد[1] در نانوسیم­های معمول، اغلب بالاتر از 1000 بوده از این رو موادی تک- بعدی قلمداد می­شوند. این مواد تک- بعدی خواص جالبی دارند که در مواد سه بعدی یا بالک دیده نشده است. دلیل این امر را در این حقیقت می­توان یافت که الکترون­ها در نانوسیم دارای محدودیت کوانتومی بوده و سطوح انرژی­ای را اشغال می­کنند که با سطوح انرژی پیوسته یا نوار انرژی در مواد بالک کاملا متفاوت است[14].

به دلایل مختلف فیزیکی، پیش­بینی می­شود که هدایت الکتریکی نانوسیم­ها بسیار کمتر از مواد بالک متناظر خواهد بود. یکی از این دلایل وجود پراکنش[2] از مرزهای سیم است که اثر آن، به خصوص وقتی که عرض سیم گمتر از مسیر آزاد میانگین الکترون در ماده­ی بالک باشد، بسیار قابل توجه خواهد بود. برای مثال در مس، مسیر آزاد میانگین 40 نانومتر است، بنابراین نانوسیم­های مسی با عرض کمتر از 40 نانومتر، مسیر آزاد میانگین را تا حدود عرض سیم پایین می­آورند[14].

[1] . Aspect Ratio

[2] . Scattering

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 thesis-power-word

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد: شبیه ­سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو نوار گرافن با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی(NEGF) 

Close Menu