دانلود پایان نامه :کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

عنوان کامل پایان نامه : کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

تکه هایی از این پایان نامه :

بررسی جریان نشتی در سلول حافظه

جریان نشتی که پیش از این مطرح شد که عامل نگهدارنده داده در سلول می باشد این جریان نشتی سبب ایجاد توان مصرفی ایستا در سلول های SRAM می گردد که این جریان و در نتیجه آن توان مصرفی ایستا توسط ترانزیستورهای تشکیل دهنده سلول های حافظه گیت قابل برنامه ریزی میدانی ایجاد می گردند (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12). این توان مصرفی ایستا در سلول های حافظه به عنوان یک عامل نامطلوب شناخته می شود که به طریقی باید سعی در کاهش آن داشته باشیم پس در نتیجه باید اقدام به کاهش جریان نشتی ترانزیستورهای تشکیل دهنده سلول بنماییم (Osadka et al 2003, 1952-1957).

برای بهبود عملکرد گیت قابل برنامه­ریزی میدانی از نظر کاهش توان ایستا باید با توجه به این نکته که عمده این توان در سلول های حافظه در حالت بیکاری ناشی از جریان های نشتی ایجاد می گردد در اکثر اوقات در زمان بیکاری سلول های حافظه SRAM در حالت بیکاری می­باشند و هیچ گونه عملیات نوشتن یا خواندنی روی این سلول ها انجام نمی­گیرد در این حالت سلول های SRAM دارای جریان نشتی می باشند که با توجه به موارد ذکر شده باید برای کاهش توان مصرفی ایستا سعی در کاهش این جریان نشتی حالت بیکاری بنماییم.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد: کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

Close Menu