پایان نامه ارشد درباره:کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

عنوان کامل پایان نامه : کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

تکه هایی از این پایان نامه :

تاخیر خواندن داده از سلول

در سلول جدیدی که ارائه شده است همانطور که پیش از این نیز توضیح داده شد ابتدا داده باید از گره ST به خط داده که در شکل با نامbite line  مشخص شده است انتقال یابد برای انجام این فرایند ابتدا bite line  به زمین دشارژ شده سپس در حالت امپدانس بالا رها می شود پس از آن ترانزیستور شماره 5 که به نام ترانزیستور قطع کننده معرفی شد توسط خط کنترلیRead  با اعمال ولتاژ سطح بالا با توجه به این که ترانزیستور دستیابی از نوع PMOS می باشد سبب خاموش شدن این ترانزیستور می شود با اعمال ولتاژ سطح بالا به ترانزیستور دستیابی که این کار توسط خط کنترلیWord line  انجام می­گیرد پس از آن           داده­ای که روی گره ST قرار داشته به روی خط داده منتقل می­شود در صورتی که داده ای که روی خط داده بارگذاری می­گردد مقدار0 باشد بر روی ولتاژ Bite line  هیچ تغییری اتفاق نمی­افتد ولی در صورتی که داده­ای که روی Bite line  بارگذاری می­گردد مقدار 1 باشد خط داده شارژ می­گردد که این تغییرات روی ولتاژ خط داده توسط یک تقویت کننده به داده 0 و یا 1 منطقی بسته به داده خوانده شده از گره ST تبدیل می­گردد (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12). مدار معادل خواندن داده از سلول جدید را می­توانیم در ادامه مشاهده کنیم.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد: کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

Close Menu