پایان نامه ارشد رشته برق کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

عنوان کامل پایان نامه : کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

تکه هایی از این پایان نامه :

نگهداری داده در سلول جدید

در سیکل­های نگهداری داده در سلول جدید ترانزیستور قطع کننده در حالت روشن بوده و گره  N  نیز در ولتاژ VDD  نگه داشته می­شود (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12). در حالتی که داده 1 در سلول جدید ذخیره شده ولتاژ بالا که معادل ورودی 1 برای مدار معکوس کننده ترانزیستورهای 3 و 4 می باشد از طریق گره ST  به ورودی این معکوس کننده اعمال می­گردد وسبب می شود که ترانزیستور 3 که از نوع NMOS  بوده روشن و ترانزیستور 4 که از نوع  PMOS  است خاموش گردد با روشن شدن ترانزیستور شماره 3 گره STB به زمین وصل شده و در نتیجه مقدار صفر منطقی به این گره اعمال می­گردد پس از این مرحله با توجه به این نکته که ورودی ترانزیسترو شماره 2 که از نوع  PMOS  است به گرهSTB   وصل شد سبب روشن شدن این ترانزیستور می­گردد و در نتیجه آن ولتاژ گره ST  به مقدارVDD  از طریق بایاسی که برای ترانزیستور شماره 2 وجود دارد می­رسد واین سیکل یا حلقه فیدبک مثبت که برقرار شده تا زمانی که بایاس 2 برقرار بماند سبب نگهداری و پایداری داده 1 در سلول می گردد و بدین شکل داده در سلول تا زمان خواندن از سلول باقی  می­ماند.

حال به بررسی حالتی که در آن داده 0 در سلول ذخیره شده می پردازیم در این حالت ولتاژ در گره ST  در مقدار پایین می­باشد که این مقدار که معادل 0 منطقی می باشد به ورودی معکس کننده ترانزیستورهای 3 و 4 اعمال شده و سبب می­گردد که ترانزیستور شماره 3 خاموش شده و ترانزیستور شماره 4 روشن گردد در این زمان ترانزیستور شماره 4 که روشن شده ولتاژ گره STB را بالا و به مقدار VDD  می­کشد که در این حالت با توجه به این که ورودی ترانزیستور PMOS  شماره 2 به گره STB  متصل می باشد مقدار سطح ولتاژ بالایی که به این گره اعمال شده بود سبب خاموشی ترانزیستور شماره 2 می­گردد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد: کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

Close Menu