دانلود پایان نامه ارشد با موضوع ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی(CNFET)

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

4-2cnfet-opamp   دو طبقه

در فصل قبل یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه را در تکنولوژی 50nm طراحی کردیم تا به – cmos opamp بهینه شکل 3-22 رسیدیم.در این فصل می خواهیم با جایگزینی ترانزیستورهای cnfet با cmos و تشکیل cnfet op-amp  و با استفاده از جدول 4-1 ،پارامترهای تقویت کننده را شبیه سازی می کنیم.این امر به سادگی از طریق معادله 4.1 و با محاسبه تعداد نانولوله ها برای فاصله و قطر معلوم نانولوله ها ،به شرط مشابه بودن عرض کانال cnfet و cmos ،امکان پذیر می باشد.

W= (N-1)*S+D                               4.1

Wعرض کانال، N تعداد نانولوله های بین سورس و درین ،S فاصله داخلی نانولوله ها و D  قطر نانولوله ها می باشد.با فرض S=20nm و D=1.2nm  ، در شکل 3-22  و با استفاده از معادله 4.1 ،تعداد نانولوله ها برای  ترانزیستورهای 50/2  برابر 63 و برای ترانزیستورهای 100/2 برابر با 126 به دست می آید.

برای مقایسه cmos op-amp , cnfet op-amp بر روی پارامترهایی از قبیل بهره، GBP فرکانس بهره واحد ،cmrr، توان مصرفی و … تمرکز می کنیم. در مدار شکل 3-22 با جایگزینی cnfet ،بهره حلقه بازرا به دست می آوریم.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

Close Menu