دانلود پایان نامه ارشد طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

دانلود پایان نامه

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

2-1- ساختار ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی

 

خصوصیات الکترونی عالی ترانزیستورهای ساخته شده با استفاده از CNT ، آنها را به عنوان کاندیدهای بالقوه مدارات مجتمع آینده تبدیل کرده است. اصلیترین تفاوت بین CNFET و SiCMOS جنس کانال آنها است، که در CNFET نانو لوله- های تک جداره میباشد. نانو لولهی کربن تک جداره 1از استوانه های توخالی که اتمهای کربن در آنها به شکل شبکه کندوی عسل مرتب شده اند، تشکیل شده است [14] .

اولین بار این ساختار در سال 1993 توسط بتهون2 [15] و ایجما [16] 3معرفی شده است. به هدف  تجسم فکری بهتر، میتوان گفت که SWCNT با غلتانده شدن یک ورقه گرافن بدست میآیند. ساختار نواری SWCNT را همچنین می توان با استفاده از بردار کایرال توصیف کرد:

 

که در آن n و m اعداد صحیح و نشاندهنده کایرالیتی لوله و a1 و a2 بردارهای ثابتی از شبکه گرافن است. شکل 1-2 نمایش مصوری از بردارهای کایرال SWCNT را نشان میدهد. مقدار m و n نشان دهنده خاصیت نانو لوله های کربنی است که میتواند خاصیت نیمه هادی و یا فلزی از خود نشان دهد؛ بر این اساس که الف( اگر n=m باشد نانو لوله کربنی خاصیت فلزی دارد. ب(اگر n-m=3i باشد، که i مقدار صحیحی است، نانو لوله کربنی خاصیت نیمه هادی با ناحیه تخلیه کوچک دارد [17] و ج( اگر n-m#3i باشد، خاصیت نیمه هادی با ناحیه تخلیه بزرگ دارد [18].

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

بستن منو