طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET:دانلود پایان نامه

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

1-4-2 روال ساخت ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی

شکل 6-2 نمونه ای از روال عملیات ساخت CNFET نوع MOSFET را نمایش میدهد. در اینجا در ابتدا SiO2 به وسیله ی گرما بروی ویفر سیلیکون رشد می دهند )شکل 6-2 الف(، سپس توسط نقش نگاری نوری علامتهای تنظیم شده و از قبل تعیین شده بروی ناحیه نشان داده شده شکل – 6 )ب(، جایی که بعدها CNT بروی آن رشد داده میشود، حکاکی میشود. پس از آن پنجره هایی به عنوان مانع نور بروی ناحیه درین وسورس قرار داده میشود تا مانع ته نشین شدن کاتالیزور Fe ، Co و یا Pt در آن نواحی شود) شکل 6-2ج(همانطور که در شکل 6-2 )د( دیده میشود کاتالیزور به شکل قطعات مایع یا لایه ای نازک از فیلم فلزی آن، بروی ناحیه مشخص شده در بستره ته نشین میشوند. سپس پنجره های زدنور بصورت شمیایی خورده میشوند) شکل 6-2 ه (و بعد ازآن SWCNT بروی ناحیه کاتالیز شده Si/SiO2 به روش CVD همانطور که در شکل 6-2 )و( مشخص است، سنتز میشود. بعد ایجاد نانو لوله های کربنی، ناحیه اتصال سورس و درین توسط  روش لیتروگرافی نوری و یا پرتویی حکاکی میشود.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

Close Menu