پایان نامه ارشد برق طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

دانلود پایان نامه

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

3-1-4 سویینگ خروجی و قابلیت تولید/سینک جریان

بیشینه سویینگ خروجی (برای op-amp شکل 3-2) توسط M7 که به ناحیه ترایود می رود، محدود شده است.اگر بخواهیم در نهایت ولتاژ 100 mV را در M7 داشته باشیم ،انگاه بیشینه ولتاژ خروجی 900 mV خواهد بود.زمانی که M8 به ناحیه ترایود می رود تقریبا 100 mV  مقدار کمینه ولتاژ خروجی اتفاق می افتد.همانطور که در شکل 3-3-a  دیده می شود ناحیه گین بالا (شیب بزرگ) در حدود  Vout  بین 100 mV تا 900 mV قرار می گیرد.بیشینه مقدار جریانی که این op-amp می تواند سینک کند با سینک جریان ثابت M8 یا 10 uA محدود شده است. op-amp می تواند جریان نسبتا بزرگتر از 10 uA را با پولینگ(خمیدگی) گیت ترانزیستور M7 به طرف پایین تولید کند.چون این توپولوژی می تواند جریان قابل ملاحظه ای تولید کند ، در کاربرد به عنوان یک تنظیم کننده ولتاژ مفید می باشد(چون op-amp در تنظیم کننده ولتاژ فقط تولید کننده جریان است).

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

بستن منو