پایان نامه ارشد طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

2-6-1 تغییرپذیری در قطر نانو لوله های کربنی

قطر SWCNT را میتوان به این صورت تقریب زد:

بطوریکه a0=0.142 nm فاصله بین دو اتم است. در نانو لوله های نیمه هادی، خاصیت نیمه هادی بودن نانولوله کربنی، نسبت عکس با قطر آن دارد، که رابطه بین این دو در فرمول زیر آمده است:

که EG ناحیه تخلیه و d قطر آن است؛ و این بدان معنی است که لوله های با قطر کوچکتر دارای ناحیه تخلیه ی بزرگتری هستند و بالعکس. پروسه ساخت نانو لوله ها باعث شده است که در قطر لوله ها تغییرپذیری وجود داشته باشد که معمولا مقداری بین 1 تا 2 نانومتر داراست  . وهمچنین، نتایچ تجربی نشان میدهد که قطر CNT ها دارای توزیع نرمال است شکل 2-7 توزیع نرمال قطر، با میانگین و واریانس به ترتیب 1.5 و0.5 نانو متر را نشان میدهد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

Close Menu