پایان نامه برق طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

6-6-2 رشد ناخواسته فلز در نانولوله ها

برای استفاده از CNT ها به عنوان ماده کانال، نانو لوله-های کربنی مورد نیاز است؛ به دلیل وجود کایرالیتی، نانولوله ها میتوانند خاصیت فلزی و یا نیمه هادی از خود نشان دهند. در حال حاضر، روش سنتزی برای نانولوله ها وجود ندارد که بتواند بصورت 100 درصد لوله های نیمه هادی تولید نماید. اگر لوله های کربنی خاصیت فلزی داشته باشند، از آنجایی که بین درین و سورس اتصال کوتاه رخ میدهد، ترمینال گیت هیچ کنترلی بر روی کانال نمیتواند داشته باشد. بنابراین، وجود لوله های کربنی در مدارات مبتنی بر نانو لوله های کربنی، دارای اثرات مضر چشمگیری بروی جریان ایستا، تاخیر حاشیه نویز استاتیک و بارآوری آنها است.

اولین بار ساختار CNFET توسط دکر و IBM در سال 1998 مورد بررسی قرار گرفت. سپس، پیشرفتهای قابل ملاحظه ای بروی ساختار مدارات و قطعات مبتنی بر نانو لوله های کربنی انجام شده است. پیاده سازی فیزیکی وارونگر ، اسیلاتور 5مرحله ای ، گیت NAND و NOR و سلولهای SRAM که با این ساختار ساخته شده اند، توسط گروههای تحقیقاتی مختلف مورد بررسی قرار گرفته است. در سال 2006، IBM اعلام کرد که اولین مدار مجتمع مبتنی بر نانولوله های کربنی را ساخته است .

یک مدار CNT-OPAMP در مرجع [51] گزارش شده و ارزیابی عملکرد یک CNT-OPAMP مورد بررسی قرار گرفته است.در مرجع [52] با تغییر تعداد نانولوله های تک دیواره ای در ناحیه کانال CNFET ،بهینه سازی عملکرد CNT-OPAMP مورد بررسی قرار گرفته است.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

Close Menu