دانلود پایان نامه در مورد نانولوله های کربنی

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

چکیده

رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، همراه با مزایای دور از انتظاری که برای این فناوری به دنبال داشته، چالش های فراوانی را نیز فرا روی متخصصین الکترونیک قرار داده است. برخی از این چالش ها مربوط به فرآیند و فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و بخشی نیز مربوط به کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها است که پایه و اساس آنها می باشد. افزایش این مسائل پژوهشگران را به فکر جایگزینی مواد جدیدی به منظور استفاده در مدارهای الکترونیکی انداخت، که به جای استفاده از ترانزیستورها و ابزارهای سیلیکونی که با چنین محدودیت هایی روبرو است، از مواد دیگری استفاده کنند. یکی از محتملترین جایگزینهای CMOS ، ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی (CNFET) است، که شامل نانو لوله های تک جداره نیمه هادی همجوار است که به دلیل خاصیت الکترونی عالی، قابلیت جایگزین شدن بر مدارات CMOS سیلیکونی را دارد. از اين ترانزيستور در ساختار يک OPAMP استفاده شده است. در این پایان نامه ابتدا ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی (CNFET) ،تاریخچه ،مزایا و محدودیت های آن ها را به طور اجمال مورد بررسی قرار می دهیم. در ادامه به مطالعه ،طراحی و تحلیل CMOS-OPAMP می پردازیم و با استفاده از HSPICE در تکنولوژی 50nm مشخصه های تقویت کننده را شبیه سازی می کنیم.سپس ترانزیستورهای مبتنی بر سیلیکون(SI-FET) را با ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی(CNFET) جایگزین می کنیم تا CNFET-OPAMP ایجاد گردد و با استفاده از مدل فشرده استانفورد برای ناحیه کانال درونی نانولوله های تک دیواره ای(SWNTs) در ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی (CNFET) ،مشخصه های CNFET-OPAMP را شبیه سازی می کنیم و در پایان مقایسه ای بین مشخصه های CMOS-OPAMP و CNFET-OPAMP ارائه می دهیم که35% افزایش در بهره حلقه باز،266% افزایش GBP،افزایش PM ،افزایش CMRR به میزان 114% ،افزایش سرعت تغییر خروجی به میزان 62% و کاهش 476%  در توان مصرفی را نشان می دهد.

کلمات کلیدی: ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی(CNFET)، تقویت کننده عملیاتیcmos(CMOSOPAMP) و تقویت کننده عملیاتی مبتنی بر نانولوله کربنی (CNFET-OPAMP)،GBP ،CMRR،سرعت تغییر خروجی(Slew Rate)،زمان نشست(Settling Time)

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

Close Menu