طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET:پایان نامه ارشد

دانلود پایان نامه

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

چالش های ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی

از زمانی که برای اولین بار ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی در سال 1998 توسط محققین در دانشگاه دلف به اثبات رسید، پیشرفتهای عظیمی بروی این تکنولوژی صورت گرفته است. با این حال، هنوز هم ساخت مدارات مبتنی بر CNT ، با چالشهای اساسی روبرو است. بنابراین برای اینکه بتوان از CNFET در مقیاس بزرگ استفاده کرد و بتواند از لحاظ تجاری تکنولوژی قابل دوامی باشد،باید این چالشها و مشکلات برطرف شوند. برخی از این چالشها به صورت فهرست وار، در ذیل آمده است:

1-تغییرپذیری در قطر نانو لوله های کربنی

2-تراکم بسته بندی نانولوله ها[44]

3- وجود فاصله بین نانولوله های مجاور و تغییرپذیری این فواصل[44]

4- نامرتب بودن نانولوله ها [45]

5-وجود اتصالات SB بین سورس و درین و نانولوله ها

6-رشد ناخواسته فلز در نانولوله ها

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

بستن منو