پایان نامه ارشد با موضوع نانو سیم های سیلیکونی

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

1.بیان مسئله و ضرورت انجام تحقیق

در سال 1965گوردون مور پیشبیني كرد كه تعداد ترانزیستورهاي روي یك تراشه در هر دو سال، دوبرابر خواهد شد [1].

در سالهای نه چندان دور اخیر ،دانشمندان و محققان به این حقیقت رسیده اند که نانولوله های کربنی یکی از مهمترین نشانه های انقلاب تکنولوژی نانو هستند.در ابعاد پایین،ساختارهای نانو از قبیل نقاط کوانتومی ،نانوسیم ها و نانولوله های کربنی ویيگیهای منحصر به فردی دارند که آنها را کاندیدای نوظهوری برای کاربردهای تکنولوژیکی پیشرفنه در آینده تبدیل نموده است.نانولوله های کربنی ویژگی منحصر به فردی به عموان یکی از اندک سیستم هایی که اندازه آزمایشگاهی افزاره ممکن است به مدل های با ابعاد اتمی برسد و با پیشبینی ها تطبیق پیدا کند می باشند ،بنابراین تایید نتایج روشهای محاسباتی و طراحی تئوری با نتایج آزمایشگاهی محقق می گردد.این افزاره های در مقیاس نانو اغلب ویژگیهای نامحدودی دارند ولی طراحی افزاره ها و مدارات نانوبعدی ،بدون محدودیت نیست.مقیاس کردن در توپولوژی مبتنی بر سیلیکون دارای محدودیت های جدی وابسته به تکنولوژی ساخت و عملکرد افزاره است.

پیشبیني ها توسط[1]  ITRS  نشان ميدهد كه مقیاس كردن CMOS در حدود سال 2018 با رسیدن به عرض كانال 20 نانومتر به پایان خواهد رسید [2].

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

Close Menu