پایان نامه برق در مورد طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

جبران سازی برای عملکرد های با سرعت بالا

در شکل 3-17 جریان خازن جبران ساز Cc از رابطه زیر به دست می آید:

اگر بهره طبقه دوم یعنی A2  بزرگ باشد این معادله را می توان به صورت زیر تقریب زد:

اگر بتوانیم این جریان را به طور غیر مستقیم به خروجی تقویت کننده تفاضلی فیدبک کنیم کماکان می توانیم اپ امپ را جبران سازی کنیم (شکاف قطب داشته باشیم).به علاوه اگر این کار را به درستی انجام دهیم از اتصال مستقیم خازن جبران ساز به خروجی تقویت کننده تفاضلی و بنابراین صفر RHP جلوگیری کرده ایم. هدف شکل 3-18 را در نظر بگیرید.ماسفت های اضافه شده یک تقویت کننده گیت مشترک را تشکیل می دهد(با فرض vp « vou و بنابراین نقش سورس فالوئر MCG قابل صرف نظر است. MCG به vp متصل است تا گیت آن در ولتاژ DC ورودی ست شود).جریان icc از طریق ماسفت گیت مشترک ، MCG و سپس به گره 1 (خروجی تقویت کننده تفاضلی) فیدبک می شود.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

Close Menu