پایان نامه طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

3-1-5 آفست

نوعی از آفست که تصادفی نیست ،آفست سیستمی است.زمانی که ماسفت های شکل 3-2 را اندازه دهی کردیم می دانستیم که M7باید به منبع 10 uA و M8 به سینک 10 uA متصل گردد.اگر   M7 را به منبع 100 uA وصل می کردیم اندازه آن از 2/100 به 2/1000 تغییر می کرد.چون M8 یک بایاس ثابت 10 uA می باشد ، M7 به ناحیه ترایود می رود تا زمانی که جریان 10 uA که در M8 سینک می شود را تولید کند.با M7 ناحیه ترایود ولتاژ خروجی بسیار نزدیک به VDD خواهد بود.به طور موثر شیفت یا آفست در منحنی انتقال شکل 3-3-a دیده می شود( شکل 3-4-a  ).

برای مدل کردن این شیفت ولتاژ خروجی، می توان آن را به عنوان ولتاژ آفست برگشتی به ورودی به پشت ورودی op-amp برگرداند(شکل 3-4-b).برعکس آفست های تصادفی که ممکن است مقداری مثبت یا منفی داشته باشد.آفست سیستمی همیشه پلاریته معلوم دارد.اگرچه می توان آفست را به طور سری با ترمینال مثبت مدل کنیم(شکل 3-4) همچنین می توان به سادگی آن را به طور سری با ترمینال منفی op-amp (با تغییر پلاریته) مدل کرد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد:طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

Close Menu