پایان نامه ارشد در مورد شکل دهی جریان ترانزیستور

عنوان کامل پایان نامه : طراحی نوسان‌ساز Cross-Coupled LC با نویز فاز کم

تکه هایی از این پایان نامه :

  • نویز فلیکر

نویز  یا فلیکر[1] یکی دیگر از منابع مهم نویز در نوسان‌سازهای CMOS می­باشد که از آن با نام نویز لرزان ترانزیستورهای ماسفت نیز یاد می­شود و به صورت یک منبع ولتاژ سری با گیت مدل می­شود. طیف نویز  به صورت معکوس با فرکانس رابطه دارد و این باعث می شود تنها در فرکانس­های پایین و فرکانس­های حوالی حامل دارای مقدار قابل ملاحظه باشد.

منشا این نویز در ترانزیستور MOS را نیز می­توان بدین شکل توضیح داد ]3[: در محل اتصال اكسيد گيت و زيربناي[2] سيليكانی در ماسفت معمولاً تعدادي پيوند آويزان وجود دارند كه حالت­هاي انرژي اضافه توليد مي­كنند، شکل (2-31). وقتي كه حامل­هاي بار در اين محل حركت مي­كنند، تعدادي از آنها بطور تصادفي به دام مي­افتند و بعد دوباره آزاد مي­شوند كه اين فرآيند باعث ايجاد نويز فليكر در جريان درين مي­شود. اعتقاد بر اين است كه چند ساز و كار ديگر نيز علاوه بر اين در توليد نويز فليكر موثرند[15]

  • پیوندهای آویزان در مرز اکسید سیلیکن[3]

بر خلاف نويز حرارتي توان متوسط نويز فليكر را نمي­توان به آساني پيشگويي كرد. بسته به تميزي مرز اكسيد سيليكان، نويز فيلكر مقادير متفاوتي خواهد داشت و از يك فرآيند CMOS به فرايند ديگر آن تغيير مي­كند. نويز فليكر را به صورت يك منبع ولتاژ سري با گيت مدل مي­كنند و تقريبا برابر است با

  •                                                                                                                     

K يك مقدار ثابت وابسته به فرآيند ساخت است و در حدود (V2F) 10-25 مي­باشد. توجه شود که پهناي باند 1Hz است. برخلاف نويز­هاي ديگر، چگالي طيفي نويز فليكر با فركانس نسبت عكس دارد. به عنوان مثال، پديده­ي به دام اندازي و رهايش مربوط به پيوندهاي آويزان در فركانس­هاي كمتر بيشتر روي مي­دهد و به همين دليل نويز فيلكر را نويز 1/f   نیز مي­نامند. رفتار فرکانس پایین این نویز در شکل (2-32) نشان داده شده است

  • مشخصه نویز یک ترانزیستور

وابستگي معكوس معادله­ي (2-29) بهL  و W بيانگر آن است كه براي كاهش نويز، سطح ترانزيستور بايد افزايش يابد. این در حالی است که امروزه با پیشرفت تکنولوژی CMOS طول ترانزیستورها در حال کاهش است. همچنین ادوات PMOS نيز نويز   1/fكمتري نسبت به NMOS دارند زیرا در ترانزيستورهاي PMOS، حفره­ها از طريق يك كانال مدفون حركت مي­كنند كه از مرز اكسيد سيليكان فاصله دارد [3].

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

برای دیدن جزئیات بیشتر ، خرید و دانلود آنی فایل متن کامل با فرمت ورد

می توانید به لینک زیر مراجعه نمایید:

 

لینک متن کامل پایان نامه رشته برق با فرمت ورد: طراحی نوسان‌ساز Cross-Coupled LC با نویز فاز کم

Close Menu